氮化镓(GaN)下游应用领域结构、GaN在光电领域应用规模、SiC、GaN电子电力市场规模、GaN微波射频器件市场规模
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微博射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明、激光等)。
光电器件是氮化镓的主要应用方向，2020年占GaN整体市场规模的68%，市场规模达到224.7亿元左右。
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由于GaN材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基GaN功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。在开关电源、电动汽车、光伏发电、UPS、数据中心、无线充电，芯片处理器等应用具有非常好的前景。根据CASA统计，2020年我国SiC、GaN电力电子器件市场规模约为46.8亿元，较2019年同比增长90%。
其中，国外多家企业开始推动GaN在新能源汽车领域的应用。与Si技术相比，GaN芯片可将开关速度最大提高4倍，降低电压和电流交叉损耗;功率密度最高增加40%;降低了整体系统重量和成本。尽管相较SiC产品，GaN车用仍然处于早期阶段，但丰田等厂商已经开始上车测试，考虑其成本优势，未来市场前景被业内人士看好。
在射频领域，氮化镓以高频、高效、大功率的特点广泛应用于雷达、电子战等军工领域，在解决国家重大安全需求上发挥了关键作用。
近年来，我国5G基站建设力度加大，带动了国内GaN微波射频器件市场规模迅速扩张。根据CASA统计，2020年我国GaN微波射频器件市场规模为66.1亿元，同比增长57.2%。
以上数据及分析请参考于前瞻产业研究院《中国氮化镓（GaN）行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。返回搜狐，查看更多